AFN8832 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN8832  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN8832

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8832 даташит

 ..1. Size:685K  alfa-mos
 afn8832.pdf pdf_icon

AFN8832

AFN8832 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8832, N-Channel enhancement mode 20V/5.4A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:691K  alfa-mos
 afn8822s.pdf pdf_icon

AFN8832

AFN8822S Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8822S, N-Channel enhancement mode 20V/6.5A,RDS(ON)=32m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=35m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particul

 9.2. Size:691K  alfa-mos
 afn8822.pdf pdf_icon

AFN8832

AFN8822 Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8822, N-Channel enhancement mode 20V/7.2A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m @VGS=1.8V These devices are particularly suited fo

 9.3. Size:586K  alfa-mos
 afn8816.pdf pdf_icon

AFN8832

AFN8816 Alfa-MOS 30V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8816, N-Channel enhancement mode 30V/8A,RDS(ON)=21m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5A,RDS(ON)=24m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/4A,RDS(ON)=27m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN8411, AFN8412, AFN8439, AFN8471, AFN8495, AFN8816, AFN8822, AFN8822S, AO4407, AFN8904, AFN8918, AFN8936, AFN8968, AFN8987, AFN8987W, AFN8988, AFN8988W