AFN8988 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN8988  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN8988

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8988 даташит

 ..1. Size:694K  alfa-mos
 afn8988.pdf pdf_icon

AFN8988

AFN8988 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 0.1. Size:695K  alfa-mos
 afn8988w.pdf pdf_icon

AFN8988

AFN8988W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8988W, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=130m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=138m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 8.1. Size:397K  alfa-mos
 afn8987.pdf pdf_icon

AFN8988

AFN8987 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8987, N-Channel enhancement mode 90V/2.3A,RDS(ON)=310m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/1.8A,RDS(ON)=320m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.2. Size:683K  alfa-mos
 afn8987w.pdf pdf_icon

AFN8988

AFN8987W Alfa-MOS 80V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8987W, N-Channel enhancement mode 80V/4.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 80V/3.6A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN8822S, AFN8832, AFN8904, AFN8918, AFN8936, AFN8968, AFN8987, AFN8987W, 5N60, AFN8988W, AFN9530, AFN9910, AFN9971, AFN9971B, AFN9972S, AFN9977, AFN9987