Справочник MOSFET. AFP4403

 

AFP4403 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP4403
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFP4403

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4403 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  alfa-mos
 afp4403.pdf pdf_icon

AFP4403

AFP4403 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4403, P-Channel enhancement mode -20V/-9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-8A,RDS(ON)=34m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-6A,RDS(ON)=48m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4435s.pdf pdf_icon

AFP4403

AFP4435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:518K  alfa-mos
 afp4435.pdf pdf_icon

AFP4403

AFP4435 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ - 7A,RDS(ON)=45m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.3. Size:589K  alfa-mos
 afp4435ws.pdf pdf_icon

AFP4403

AFP4435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AFP3679S , AFP3804 , AFP3981 , AFP3993 , IRFP260 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 , AFP4535 , AFP4535W , AFP4599W .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.