AFP4447 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP4447  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP4447

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4447 даташит

 ..1. Size:880K  alfa-mos
 afp4447.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4447 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4447, P-Channel enhancement mode -40V/ -10A,RDS(ON)= 40m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/ -8A,RDS(ON)= 55m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4435s.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:579K  alfa-mos
 afp4403.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4403 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4403, P-Channel enhancement mode -20V/-9A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-8A,RDS(ON)=34m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-6A,RDS(ON)=48m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.3. Size:518K  alfa-mos
 afp4435.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4435 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ - 7A,RDS(ON)=45m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP3804, AFP3981, AFP3993, AFP4403, AFP4435, AFP4435S, AFP4435W, AFP4435WS, 2SK3878, AFP4535, AFP4535W, AFP4599W, AFP4637, AFP4637W, AFP4925, AFP4925S, AFP4925W