AFP4447 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AFP4447. Основные параметры


   Наименование производителя: AFP4447
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для AFP4447

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4447 даташит

 ..1. Size:880K  alfa-mos
 afp4447.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4447 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4447, P-Channel enhancement mode -40V/ -10A,RDS(ON)= 40m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/ -8A,RDS(ON)= 55m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4435s.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:579K  alfa-mos
 afp4403.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4403 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4403, P-Channel enhancement mode -20V/-9A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-8A,RDS(ON)=34m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-6A,RDS(ON)=48m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.3. Size:518K  alfa-mos
 afp4435.pdf pdf_icon

AFP4447

AFP4435 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ - 7A,RDS(ON)=45m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP3804 , AFP3981 , AFP3993 , AFP4403 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , IRLB4132 , AFP4535 , AFP4535W , AFP4599W , AFP4637 , AFP4637W , AFP4925 , AFP4925S , AFP4925W .

 

 
Back to Top

 


 
.