AFP8989 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFP8989
Маркировка: 89*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
AFP8989 Datasheet (PDF)
afp8989.pdf
AFP8989 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)= 115m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)= 125m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp8943.pdf
AFP8943 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8943, P-Channel enhancement mode -40V/-4.6A,RDS(ON)= 43m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.6A,RDS(ON)= 58m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp8995.pdf
AFP8995 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8995, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 125m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 165m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp8931.pdf
AFP8931 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8931, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 36m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 46m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C