AFP8989 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP8989  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP8989

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP8989 даташит

 ..1. Size:606K  alfa-mos
 afp8989.pdf pdf_icon

AFP8989

AFP8989 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)= 115m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)= 125m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.1. Size:915K  alfa-mos
 afp8943.pdf pdf_icon

AFP8989

AFP8943 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8943, P-Channel enhancement mode -40V/-4.6A,RDS(ON)= 43m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.6A,RDS(ON)= 58m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.2. Size:689K  alfa-mos
 afp8995.pdf pdf_icon

AFP8989

AFP8995 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8995, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 125m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 165m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.3. Size:595K  alfa-mos
 afp8931.pdf pdf_icon

AFP8989

AFP8931 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8931, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 36m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 46m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP8463, AFP8473, AFP8483, AFP8803, AFP8823, AFP8833, AFP8931, AFP8943, SI2302, AFP8995, AFP9407, AFP9434WS, AFP9435S, AFP9435WS, AFP9510S, AFP9565S, AFP9566W