Справочник MOSFET. AFP9435WS

 

AFP9435WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP9435WS
   Маркировка: 9435WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P

 Аналог (замена) для AFP9435WS

 

 

AFP9435WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  alfa-mos
 afp9435ws.pdf

AFP9435WS AFP9435WS

AFP9435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.1. Size:593K  alfa-mos
 afp9435s.pdf

AFP9435WS AFP9435WS

AFP9435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.1. Size:559K  alfa-mos
 afp9434ws.pdf

AFP9435WS AFP9435WS

AFP9434WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.5A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=72m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:495K  alfa-mos
 afp9407.pdf

AFP9435WS AFP9435WS

AFP9407 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9407, P-Channel enhancement mode -60V/-4.6A,RDS(ON)= 100m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.8A,RDS(ON)= 120m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top