Справочник MOSFET. AFP9510S

 

AFP9510S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP9510S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFP9510S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP9510S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  alfa-mos
 afp9510s.pdf pdf_icon

AFP9510S

AFP9510S Alfa-MOS 100 P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9510S, P-Channel enhancement mode -100/-8.0A,RDS(ON)= 200m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-7.0A,RDS(ON)= 220m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particular

 9.1. Size:830K  alfa-mos
 afp9577.pdf pdf_icon

AFP9510S

AFP9577 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9577, P-Channel enhancement mode -60V/-4A,RDS(ON)= 305m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3A,RDS(ON)= 330m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.2. Size:784K  alfa-mos
 afp9566w.pdf pdf_icon

AFP9510S

AFP9566W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)= 80m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.5A,RDS(ON)= 105m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 9.3. Size:751K  alfa-mos
 afp9576.pdf pdf_icon

AFP9510S

AFP9576 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)= 115m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-10A,RDS(ON)= 125m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP8931 , AFP8943 , AFP8989 , AFP8995 , AFP9407 , AFP9434WS , AFP9435S , AFP9435WS , IRF2807 , AFP9565S , AFP9566W , AFP9575S , AFP9576 , AFP9577 , ALD1101APAL , ALD1101ASAL , ALD1101BPAL .

History: FQA24N50F109 | BUK9K17-60E | IRF7832PBF-1 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | NP88N075KUE | 2SK1927

 

 
Back to Top

 


 
.