AFP9575S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP9575S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP9575S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP9575S даташит

 ..1. Size:880K  alfa-mos
 afp9575s.pdf pdf_icon

AFP9575S

AFP9575S Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)= 68m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-12A,RDS(ON)= 78m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 8.1. Size:830K  alfa-mos
 afp9577.pdf pdf_icon

AFP9575S

AFP9577 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9577, P-Channel enhancement mode -60V/-4A,RDS(ON)= 305m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3A,RDS(ON)= 330m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.2. Size:751K  alfa-mos
 afp9576.pdf pdf_icon

AFP9575S

AFP9576 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)= 115m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-10A,RDS(ON)= 125m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:784K  alfa-mos
 afp9566w.pdf pdf_icon

AFP9575S

AFP9566W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)= 80m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.5A,RDS(ON)= 105m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP8995, AFP9407, AFP9434WS, AFP9435S, AFP9435WS, AFP9510S, AFP9565S, AFP9566W, 8N60, AFP9576, AFP9577, ALD1101APAL, ALD1101ASAL, ALD1101BPAL, ALD1101BSAL, ALD1101PAL, ALD1101SAL