Справочник MOSFET. AFP9577

 

AFP9577 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP9577
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.305 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP9577 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:830K  alfa-mos
 afp9577.pdf pdf_icon

AFP9577

AFP9577 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9577, P-Channel enhancement mode -60V/-4A,RDS(ON)= 305m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3A,RDS(ON)= 330m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.1. Size:751K  alfa-mos
 afp9576.pdf pdf_icon

AFP9577

AFP9576 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)= 115m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-10A,RDS(ON)= 125m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 8.2. Size:880K  alfa-mos
 afp9575s.pdf pdf_icon

AFP9577

AFP9575S Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)= 68m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-12A,RDS(ON)= 78m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:784K  alfa-mos
 afp9566w.pdf pdf_icon

AFP9577

AFP9566W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)= 80m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.5A,RDS(ON)= 105m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCEP0135AK | APT6040BVFR | IRFR2407 | IRFZ14S | AP10TN028YT | SWD076R68E7T | SQS404EN

 

 
Back to Top

 


 
.