IRFB13N50APBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFB13N50APBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFB13N50APBF Datasheet (PDF)
irfb13n50apbf.pdf

PD - 95122SMPS MOSFETIRFB13N50APbFHEXFET Power MOSFETAppIicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply 500V 0.450 14Al High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and Avalanch
irfb13n50a irfb13n50apbf sihfb13n50a.pdf

IRFB13N50A, SiHFB13N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500Reqirements AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.450RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81COMPLIANTRuggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguratio
irfb13n50a.pdf

PD - 94339SMPS MOSFETIRFB13N50AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 500V 0.450 14A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand Current
irfb13n50a sihfb13n50a.pdf

IRFB13N50A, SiHFB13N50AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler DriveVDS (V) 500Reqirements AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.450RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 81COMPLIANTRuggedness Qgs (nC) 20Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageConfiguratio
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AO4821 | STP5N95K3 | CEU11P20 | SI1402DH | 2N4338 | IRFP453R | NTUD3169CZ
History: AO4821 | STP5N95K3 | CEU11P20 | SI1402DH | 2N4338 | IRFP453R | NTUD3169CZ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet