IRFB13N50APBF - описание и поиск аналогов

 

IRFB13N50APBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB13N50APBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRFB13N50APBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB13N50APBF даташит

 ..1. Size:189K  international rectifier
irfb13n50apbf.pdfpdf_icon

IRFB13N50APBF

PD - 95122 SMPS MOSFET IRFB13N50APbF HEXFET Power MOSFET AppIications VDSS RDS(on) max ID l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply 500V 0.450 14A l High Speed Power Switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanch

 ..2. Size:201K  vishay
irfb13n50a irfb13n50apbf sihfb13n50a.pdfpdf_icon

IRFB13N50APBF

IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio

 4.1. Size:97K  international rectifier
irfb13n50a.pdfpdf_icon

IRFB13N50APBF

PD - 94339 SMPS MOSFET IRFB13N50A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 500V 0.450 14A High Speed Power Switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

 4.2. Size:201K  vishay
irfb13n50a sihfb13n50a.pdfpdf_icon

IRFB13N50APBF

IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio

Другие MOSFET... ALD1106DB , ALD1106PBL , ALD1106SBL , ALD1116DA , ALD1116PAL , ALD1116SAL , IRFB11N50APBF , IRFB13N50A , IRF540N , IRFB16N50K , IRFB16N50KPBF , IRFB16N60LPBF , IRFB17N20D , IRFB17N20DPBF , IRFB17N50L , IRFB17N50LPBF , IRFB17N60K .

History: STC4606

 

 

 

 

↑ Back to Top
.