IRFB3207ZPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFB3207ZPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB3207ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRFB3207ZPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3207ZPBF даташит

 ..1. Size:330K  international rectifier
irfb3207zpbf irfs3207zpbf irfsl3207zpbf.pdfpdf_icon

IRFB3207ZPBF

IRFB3207ZPbF IRFS3207ZPbF IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply max. 4.1m G l High Speed Power Switching ID (Silicon Limited) 170A l Hard Switched and High Frequency Circuits S ID (Package Limited) 120A Benefits D D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

 5.1. Size:286K  international rectifier
irfb3207zgpbf.pdfpdf_icon

IRFB3207ZPBF

PD - 96201 IRFB3207ZGPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 75V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 3.3m l High Speed Power Switching max. 4.1m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 170A ID (Package Limited) S 120A Benefits D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggednes

 5.2. Size:246K  inchange semiconductor
irfb3207z.pdfpdf_icon

IRFB3207ZPBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3207Z IIRFB3207Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIM

 5.3. Size:245K  inchange semiconductor
irfb3207zg.pdfpdf_icon

IRFB3207ZPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3207ZG IIRFB3207ZG FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие MOSFET... IRFB3006PBF , IRFB3077GPBF , IRFB3077PBF , IRFB31N20DPBF , IRFB3206GPBF , IRFB3206PBF , IRFB3207PBF , IRFB3207ZGPBF , IRF9540N , IRFB3306GPBF , IRFB3306PBF , IRFB3307PBF , IRFB3307ZPBF , IRFB33N15DPBF , IRFB3407ZPBF , IRFB3507PBF , IRFB3607GPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.