IRFB3207ZPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFB3207ZPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFB3207ZPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFB3207ZPBF даташит
irfb3207zpbf irfs3207zpbf irfsl3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPbF IRFS3207ZPbF IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply max. 4.1m G l High Speed Power Switching ID (Silicon Limited) 170A l Hard Switched and High Frequency Circuits S ID (Package Limited) 120A Benefits D D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
irfb3207zgpbf.pdf
PD - 96201 IRFB3207ZGPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 75V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 3.3m l High Speed Power Switching max. 4.1m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 170A ID (Package Limited) S 120A Benefits D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggednes
irfb3207z.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3207Z IIRFB3207Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIM
irfb3207zg.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3207ZG IIRFB3207ZG FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.1m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
Другие MOSFET... IRFB3006PBF , IRFB3077GPBF , IRFB3077PBF , IRFB31N20DPBF , IRFB3206GPBF , IRFB3206PBF , IRFB3207PBF , IRFB3207ZGPBF , IRF9540N , IRFB3306GPBF , IRFB3306PBF , IRFB3307PBF , IRFB3307ZPBF , IRFB33N15DPBF , IRFB3407ZPBF , IRFB3507PBF , IRFB3607GPBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141


