Справочник MOSFET. IRFB9N60APBF

 

IRFB9N60APBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB9N60APBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFB9N60APBF

 

 

IRFB9N60APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  international rectifier
 irfb9n60apbf.pdf

IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF

PD - 94821SMPS MOSFETIRFB9N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 9.2A High speed power switching Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche V

 5.1. Size:135K  international rectifier
 irfb9n60a.pdf

IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF

PD - 91811IRFB9N60AHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD Repetitive Avalanche RatedVDSS = 600V Fast Switching Ease of ParalelingRDS(on) = 0.75 Simple Drive RequirementsGID = 9.2ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

 5.2. Size:211K  vishay
 irfb9n60a sihfb9n60a.pdf

IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF

IRFB9N60A, SiHFB9N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 49COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 13 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 20and CurrentConfig

 5.3. Size:285K  inchange semiconductor
 irfb9n60a.pdf

IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFB9N60AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.75 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top