Справочник MOSFET. IRFBF30PBF

 

IRFBF30PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFBF30PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFBF30PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  international rectifier
irfbf30pbf.pdfpdf_icon

IRFBF30PBF

PD - 95631IRFBF30PbF Lead-Free8/4/04Document Number: 91122 www.vishay.com1IRFBF30PbFDocument Number: 91122 www.vishay.com2IRFBF30PbFDocument Number: 91122 www.vishay.com3IRFBF30PbFDocument Number: 91122 www.vishay.com4IRFBF30PbFDocument Number: 91122 www.vishay.com5IRFBF30PbFDocument Number: 91122 www.vishay.com6IRFBF30PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:1073K  vishay
irfbf30pbf sihfbf30.pdfpdf_icon

IRFBF30PBF

IRFBF30, SiHFBF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANTQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 7.1. Size:166K  international rectifier
irfbf30.pdfpdf_icon

IRFBF30PBF

 7.2. Size:57K  international rectifier
irfbf30m.pdfpdf_icon

IRFBF30PBF

TranElectric IRFCF30Die for HexfetDie SpecificationGeneral description :Hexfet power MOSFET diewith the following features:* Dynamic dv/dt rating* Ease of paralleing* Repetitve avalanche rated* Fast switchingMechanical Characteristic:Silicon ChipDimension (mm): 4.42*5.32Dimension (mil): 174*206Thickness:Metallization: AlRecommended wire(mm): 0.25 Recommende

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 12N65KL-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.