IRFBF30SPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFBF30SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRFBF30SPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFBF30SPBF даташит
irfbf30s irfbf30spbf.pdf
IRFBF30S, SiHFBF30S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 900 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.7 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 10 Fast Switching Qgd (nC) 42 Ease of Paralleling Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to R
irfbf30pbf.pdf
PD - 95631 IRFBF30PbF Lead-Free 8/4/04 Document Number 91122 www.vishay.com 1 IRFBF30PbF Document Number 91122 www.vishay.com 2 IRFBF30PbF Document Number 91122 www.vishay.com 3 IRFBF30PbF Document Number 91122 www.vishay.com 4 IRFBF30PbF Document Number 91122 www.vishay.com 5 IRFBF30PbF Document Number 91122 www.vishay.com 6 IRFBF30PbF Peak Diode Recovery
irfbf30m.pdf
TranElectric IRFCF30 Die for Hexfet Die Specification General description Hexfet power MOSFET die with the following features * Dynamic dv/dt rating * Ease of paralleing * Repetitve avalanche rated * Fast switching Mechanical Characteristic Silicon Chip Dimension (mm) 4.42*5.32 Dimension (mil) 174*206 Thickness Metallization Al Recommended wire(mm) 0.25 Recommende
Другие IGBT... IRFBE30LPBF, IRFBE30PBF, IRFBE30S, IRFBE30SPBF, IRFBF20PBF, IRFBF20SPBF, IRFBF30PBF, IRFBF30S, AO4407, IRFBG20PBF, IRFBG30PBF, IRFD010, IRFD012, IRFD014PBF, IRFD020, IRFD020PBF, IRFD024PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent






