Справочник MOSFET. IRFBG30PBF

 

IRFBG30PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFBG30PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFBG30PBF

 

 

IRFBG30PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2101K  international rectifier
irfbg30pbf.pdf

IRFBG30PBF
IRFBG30PBF

PD - 94989IRFBG30PbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91124 www.vishay.com1IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com2IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com3IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com4IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com5IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com6IRFBG30PbFTO-220AB Package Out

 ..2. Size:835K  vishay
irfbg30pbf sihfbg30.pdf

IRFBG30PBF
IRFBG30PBF

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 7.1. Size:167K  international rectifier
irfbg30.pdf

IRFBG30PBF
IRFBG30PBF

 7.2. Size:1563K  vishay
irfbg30 sihfbg30.pdf

IRFBG30PBF
IRFBG30PBF

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 7.3. Size:206K  inchange semiconductor
irfbg30.pdf

IRFBG30PBF
IRFBG30PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFBG30FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top