IRFBG30PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFBG30PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFBG30PBF
IRFBG30PBF Datasheet (PDF)
irfbg30pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 94989IRFBG30PbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91124 www.vishay.com1IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com2IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com3IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com4IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com5IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com6IRFBG30PbFTO-220AB Package Out
irfbg30pbf sihfbg30.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD
irfbg30 sihfbg30.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD
irfbg30.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFBG30FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .