Справочник MOSFET. IRFBG30PBF

 

IRFBG30PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFBG30PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFBG30PBF

 

 

IRFBG30PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2101K  international rectifier
 irfbg30pbf.pdf

IRFBG30PBF IRFBG30PBF

PD - 94989IRFBG30PbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91124 www.vishay.com1IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com2IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com3IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com4IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com5IRFBG30PbFDocument Number: 91124 www.vishay.com6IRFBG30PbFTO-220AB Package Out

 ..2. Size:835K  vishay
 irfbg30pbf sihfbg30.pdf

IRFBG30PBF IRFBG30PBF

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 7.1. Size:167K  international rectifier
 irfbg30.pdf

IRFBG30PBF IRFBG30PBF

 7.2. Size:1563K  vishay
 irfbg30 sihfbg30.pdf

IRFBG30PBF IRFBG30PBF

IRFBG30, SiHFBG30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 1000Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 5.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 80COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 10Qgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 7.3. Size:206K  inchange semiconductor
 irfbg30.pdf

IRFBG30PBF IRFBG30PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFBG30FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IRFBE30S , IRFBE30SPBF , IRFBF20PBF , IRFBF20SPBF , IRFBF30PBF , IRFBF30S , IRFBF30SPBF , IRFBG20PBF , P60NF06 , IRFD010 , IRFD012 , IRFD014PBF , IRFD020 , IRFD020PBF , IRFD024PBF , IRFD110PBF , IRFD113PBF .

 

 
Back to Top