Справочник MOSFET. IRFD210PBF

 

IRFD210PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD210PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DIP-4
 

 Аналог (замена) для IRFD210PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD210PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1704K  vishay
 irfd210pbf sihfd210.pdf pdf_icon

IRFD210PBF

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 7.1. Size:173K  international rectifier
 irfd210.pdf pdf_icon

IRFD210PBF

 7.2. Size:1702K  vishay
 irfd210 sihfd210.pdf pdf_icon

IRFD210PBF

IRFD210, SiHFD210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT End StackableQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requiremen

 8.1. Size:314K  international rectifier
 irfd214.pdf pdf_icon

IRFD210PBF

PD -9.1271IRFD214HEXFET Power MOSFETDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedVDSS = 250VFor Automatic InsertionEnd StackableRDS(on) = 2.0Fast SwitchingEase of parallelingSimple Drive RequirementsID = 0.45ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFD014PBF , IRFD020 , IRFD020PBF , IRFD024PBF , IRFD110PBF , IRFD113PBF , IRFD120PBF , IRFD123PBF , CS150N03A8 , IRFD214PBF , IRFD220PBF , IRFD224PBF , IRFD310PBF , IRFD320PBF , IRFD420PBF , IRFD9010 , IRFD9012 .

History: NCEAP40T35ALL | NCEAP40T20AD | 2SK2885 | BUK7514-60E | APM9928K | AOTF11C60 | UPA2793AGR

 

 
Back to Top

 


 
.