IRFD224PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFD224PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
Аналог (замена) для IRFD224PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFD224PBF даташит
irfd224pbf.pdf
PD- 95923 IRFD224PbF Lead-Free 10/29/04 Document Number 91132 www.vishay.com 1 IRFD224PbF Document Number 91132 www.vishay.com 2 IRFD224PbF Document Number 91132 www.vishay.com 3 IRFD224PbF Document Number 91132 www.vishay.com 4 IRFD224PbF Document Number 91132 www.vishay.com 5 IRFD224PbF Document Number 91132 www.vishay.com 6 IRFD224PbF Document Number 91
irfd224pbf sihfd224.pdf
IRFD224, SiHFD224 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End Stackable Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 7.8 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D Co
irfd224.pdf
PD -9.1272 IRFD224 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 250V For Automatic Insertion End Stackable RDS(on) = 1.1 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 0.63A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi
irfd224 sihfd224.pdf
IRFD224, SiHFD224 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End Stackable Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 7.8 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D Co
Другие IGBT... IRFD024PBF, IRFD110PBF, IRFD113PBF, IRFD120PBF, IRFD123PBF, IRFD210PBF, IRFD214PBF, IRFD220PBF, IRFZ24N, IRFD310PBF, IRFD320PBF, IRFD420PBF, IRFD9010, IRFD9012, IRFD9010PBF, IRFD9014PBF, IRFD9020PBF
History: SSM6J23FE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor







