Справочник MOSFET. IRFD224PBF

 

IRFD224PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFD224PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: DIP-4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD224PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  international rectifier
 irfd224pbf.pdf pdf_icon

IRFD224PBF

PD- 95923IRFD224PbF Lead-Free10/29/04Document Number: 91132 www.vishay.com1IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com2IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com3IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com4IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com5IRFD224PbFDocument Number: 91132 www.vishay.com6IRFD224PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:1237K  vishay
 irfd224pbf sihfd224.pdf pdf_icon

IRFD224PBF

IRFD224, SiHFD224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End StackableQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Co

 7.1. Size:308K  international rectifier
 irfd224.pdf pdf_icon

IRFD224PBF

PD -9.1272IRFD224HEXFET Power MOSFETDynamic dv/dt RatingRepetitive Avalanche RatedVDSS = 250VFor Automatic InsertionEnd StackableRDS(on) = 1.1Fast SwitchingEase of parallelingSimple Drive RequirementsID = 0.63ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 7.2. Size:1238K  vishay
 irfd224 sihfd224.pdf pdf_icon

IRFD224PBF

IRFD224, SiHFD224Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1 RoHS For Automatic InsertionCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 14 End StackableQgs (nC) 2.7 Fast SwitchingQgd (nC) 7.8 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive RequirementsD Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: OSG80R380DF | MDI5N40RH | IXFK73N30 | HAT1108C | APT5010JFLL | IRF9540PBF | PTP11N40

 

 
Back to Top

 


 
.