IRFD320PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFD320PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.49 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
Аналог (замена) для IRFD320PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFD320PBF даташит
irfd320pbf.pdf
PD- 95930 IRFD320PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91134 www.vishay.com 1 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 2 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 3 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 4 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 5 IRFD320PbF Document Number 91134 www.vishay.com 6 IRFD320PbF Document Number 91
irfd320pbf sihfd320.pdf
IRFD320, SiHFD320 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D C
irfd320.pdf
PD -9.1226 IRFD320 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400V For Automatic Insertion End Stackable RDS(on) = 1.8 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 0.49A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi
irfd320 sihfd320.pdf
IRFD320, SiHFD320 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 20 End Stackable Qgs (nC) 3.3 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements D C
Другие IGBT... IRFD113PBF, IRFD120PBF, IRFD123PBF, IRFD210PBF, IRFD214PBF, IRFD220PBF, IRFD224PBF, IRFD310PBF, 8N60, IRFD420PBF, IRFD9010, IRFD9012, IRFD9010PBF, IRFD9014PBF, IRFD9020PBF, IRFD9024PBF, IRFD9110PBF
History: IRFH4234 | DMP2006UFG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet








