2SJ45 - описание и поиск аналогов

 

2SJ45 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SJ45
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SJ45

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ45 технические параметры

 ..1. Size:2127K  nec
2sj45.pdfpdf_icon

2SJ45

 0.1. Size:177K  sanyo
2sj455.pdfpdf_icon

2SJ45

2SJ455 Ordering number EN5441 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SJ455 Applications Features Low ON-state resistance. High-speed switching. Surface mount type device making the following possible. Reduction in the number of manufacturing processes for 2SJ455-applied equipment. High density surface mount a

 0.2. Size:111K  renesas
2sj451.pdfpdf_icon

2SJ45

2SJ451 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007 Description Low frequency power switching Features Low on-resistance. Low drive power 2.5 V gate drive device. Small package (MPAK). Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) D 3 1. Source G 2. Gate 1 3. Drain 2 S Note Marking is ZK . Absol

 0.3. Size:46K  hitachi
2sj450.pdfpdf_icon

2SJ45

2SJ450 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-381 1st. Edition Application High speed power switching Features Low on-resistance. Low drive power High speed switching 2.5 V gate drive device. Outline UPAK 1 2 3 4 D 1. Gate G 2. Drain 3. Source 4. Drain S This datasheet has been downloaded from http //www.digchip.com at this page 2SJ450 Absolute Maximum Rati

Другие MOSFET... 2SJ331 , 2SJ353 , 2SJ411 , 2SJ424 , 2SJ425 , 2SJ44 , 2SJ448 , 2SJ449 , 10N65 , 2SJ460 , 2SJ461 , 2SJ462 , 2SJ463 , 2SJ471 , 2SJ479 , 2SJ483 , 2SJ484 .

 

 
Back to Top

 


 
.