2SJ45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ45  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm

Тип корпуса: TO92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ45 даташит

 ..1. Size:2127K  nec
 2sj45.pdf pdf_icon

2SJ45

 0.1. Size:177K  sanyo
 2sj455.pdf pdf_icon

2SJ45

2SJ455 Ordering number EN5441 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SJ455 Applications Features Low ON-state resistance. High-speed switching. Surface mount type device making the following possible. Reduction in the number of manufacturing processes for 2SJ455-applied equipment. High density surface mount a

 0.2. Size:111K  renesas
 2sj451.pdf pdf_icon

2SJ45

2SJ451 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007 Description Low frequency power switching Features Low on-resistance. Low drive power 2.5 V gate drive device. Small package (MPAK). Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) D 3 1. Source G 2. Gate 1 3. Drain 2 S Note Marking is ZK . Absol

 0.3. Size:46K  hitachi
 2sj450.pdf pdf_icon

2SJ45

2SJ450 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-381 1st. Edition Application High speed power switching Features Low on-resistance. Low drive power High speed switching 2.5 V gate drive device. Outline UPAK 1 2 3 4 D 1. Gate G 2. Drain 3. Source 4. Drain S This datasheet has been downloaded from http //www.digchip.com at this page 2SJ450 Absolute Maximum Rati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ331, 2SJ353, 2SJ411, 2SJ424, 2SJ425, 2SJ44, 2SJ448, 2SJ449, IRF2807, 2SJ460, 2SJ461, 2SJ462, 2SJ463, 2SJ471, 2SJ479, 2SJ483, 2SJ484