IRFH5007PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5007PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5007PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5007PBF даташит

 ..1. Size:268K  international rectifier
 irfh5007pbf.pdf pdf_icon

IRFH5007PBF

IRFH5007PbF HEXFET Power MOSFET VDS 75 V RDS(on) max 5.9 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 65 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 5.9m ) Lower Conduction Losses

 7.1. Size:263K  1
 irfh5006trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5007PBF

IRFH5006PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 4.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 69 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 4.1m ) Lower Conduction Losses

 7.2. Size:259K  international rectifier
 irfh5004pbf.pdf pdf_icon

IRFH5007PBF

IRFH5004PbF HEXFET Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 2.6 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 73 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 2.6m ) Lower Conduction Losses L

 7.3. Size:263K  international rectifier
 irfh5006pbf.pdf pdf_icon

IRFH5007PBF

IRFH5006PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 4.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 69 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 4.1m ) Lower Conduction Losses

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH4213, IRFH4213D, IRFH4226, IRFH4234, IRFH4251D, IRFH4253D, IRFH4255D, IRFH4257D, AO3400, IRFH5010PBF, IRFH5015PBF, IRFH5020PBF, IRFH5053PBF, IRFH5106PBF, IRFH5206PBF, IRFH5207PBF, IRFH5210PBF