Справочник MOSFET. IRLZ44NL

 

IRLZ44NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLZ44NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRLZ44NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLZ44NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  international rectifier
 irlz44ns irlz44nl.pdf pdf_icon

IRLZ44NL

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 ..2. Size:340K  international rectifier
 irlz44nlpbf irlz44nspbf.pdf pdf_icon

IRLZ44NL

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 7.1. Size:102K  international rectifier
 irlz44n.pdf pdf_icon

IRLZ44NL

PD - 9.1346BIRLZ44NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan

 7.2. Size:223K  international rectifier
 irlz44npbf.pdf pdf_icon

IRLZ44NL

PD - 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLZ34A , IRLZ34N , IRLZ34NL , IRLZ34NS , IRLZ40 , IRLZ44 , IRLZ44A , IRLZ44N , 5N60 , IRLZ44NS , ITF86110DK8T , ITF86116SQT , ITF86130SK8T , ITF86172SK8T , ITF86174SQT , ITF86182SK8T , ITF87008DQT .

 

 
Back to Top

 


 
.