AM4396N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4396N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4396N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4396N даташит

 ..1. Size:322K  analog power
 am4396n.pdf pdf_icon

AM4396N

Analog Power AM4396N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 110 @ VGS = 10V 4.4 Low thermal impedance 150 115 @ VGS = 5.5V 4.3 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:320K  analog power
 am4394n.pdf pdf_icon

AM4396N

Analog Power AM4394N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 50 @ VGS = 10V 6.5 Low thermal impedance 150 60 @ VGS = 5.5V 5.9 Fast switching speed SO-8 Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.2. Size:192K  analog power
 am4390n.pdf pdf_icon

AM4396N

Analog Power AM4390N N-Channel 150V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.625 @ VGS = 10 V 1.9 battery-powered products suc

 9.3. Size:313K  analog power
 am4392n.pdf pdf_icon

AM4396N

Analog Power AM4392N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 255 @ VGS = 10V 2.9 Low thermal impedance 150 290 @ VGS = 5.5V 2.7 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM40P10-200P, AM40P20-150PCFM, AM4302N, AM4362N, AM4380N, AM4390N, AM4392N, AM4394N, P60NF06, AM4400N, AM4400NE, AM4401P, AM4402N, AM4403, AM4403P, AM4404N, AM4407