Справочник MOSFET. ITF87072DK8T

 

ITF87072DK8T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ITF87072DK8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ITF87072DK8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  intersil
itf87072dk8t.pdfpdf_icon

ITF87072DK8T

ITF87072DK8TTMData Sheet March 2000 File Number 4812.36A, 20V, 0.037 Ohm, Dual P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.039, VGS = -4.0VSO8 (JEDEC MS-012AA)- rDS(ON) = 0.059, VGS = -2.5V Gate to Source Protection DiodeBRANDING DASH Simulation Models- Temperature Compen

 8.1. Size:201K  intersil
itf87008dqt.pdfpdf_icon

ITF87072DK8T

ITF87008DQTData Sheet March 2000 File Number 4814.27.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.024, VGS = 4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.029, VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- T

 8.2. Size:236K  intersil
itf87056dqt.pdfpdf_icon

ITF87072DK8T

ITF87056DQTData Sheet March 2000 File Number 4813.25A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.045, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.048, VGS = -4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.077, VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- Temp

 8.3. Size:186K  intersil
itf87052svt.pdfpdf_icon

ITF87072DK8T

ITF87052SVTData Sheet March 2000 File Number 4800.33A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.115, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.120, VGS = -4.0VTSOP-6- rDS(ON) = 0.190, VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package41 Gate to Source Protection Diode23 Simula

Другие MOSFET... ITF86172SK8T , ITF86174SQT , ITF86182SK8T , ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT , ITF87068SQT , CS150N03A8 , 12N65KL-TF , 20N03 , 2N0609 , 2SK2080 , 2SK2652 , 2SK2654 , 2SK3530 , 2SK3681 .

History: RU6075R | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | F55NF06 | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.