AM4917P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4917P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AM4917P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4917P даташит

 ..1. Size:326K  analog power
 am4917p.pdf pdf_icon

AM4917P

Analog Power AM4917P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 17.5 @ VGS = -4.5V -9.0 Low thermal impedance -20 23 @ VGS = -2.5V -7.9 Fast switching speed 48 @ VGS = -1.8V -5.5 Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion C

 9.1. Size:312K  analog power
 am4915p.pdf pdf_icon

AM4917P

Analog Power AM4915P Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 17.5 @ VGS = -10V -9.0 Low thermal impedance -30 23 @ VGS = -4.5V -7.9 Fast switching speed SO-8 Typical Applications Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UN

 9.2. Size:191K  analog power
 am4910n.pdf pdf_icon

AM4917P

Analog Power AM4910N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 13.5 @ VGS = 10V 10 converters and power management in portable and 30 battery-powered produ

 9.3. Size:203K  analog power
 am4919p.pdf pdf_icon

AM4917P

Analog Power AM4919P P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 21 @ VGS = -4.5V 8.2 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC -20 35 @ VGS = -2.5V 6.4 converters,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM4842N, AM4844NE, AM4874N, AM4890N, AM4892N, AM4902N, AM4910N, AM4915P, IRFP450, AM4919P, AM4920, AM4920N, AM4922N, AM4924N, AM4926N, AM4929P, AM4930N