AM4917P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AM4917P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
trⓘ - Время нарастания: 66 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AM4917P Datasheet (PDF)
am4917p.pdf
Analog Power AM4917PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)17.5 @ VGS = -4.5V -9.0 Low thermal impedance -20 23 @ VGS = -2.5V -7.9 Fast switching speed 48 @ VGS = -1.8V -5.5Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion C
am4915p.pdf
Analog Power AM4915PDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)17.5 @ VGS = -10V -9.0 Low thermal impedance -3023 @ VGS = -4.5V -7.9 Fast switching speed SO-8 Typical Applications: Load Switches DC/DC Conversion Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UN
am4910n.pdf
Analog Power AM4910NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 13.5 @ VGS = 10V 10converters and power management in portable and 30battery-powered produ
am4919p.pdf
Analog Power AM4919PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 21 @ VGS = -4.5V 8.2circuitry. Typical applications are PWMDC-DC -2035 @ VGS = -2.5V 6.4converters,
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: ZXMP10A13F
History: ZXMP10A13F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918