AM4942N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM4942N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для AM4942N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM4942N даташит

 ..1. Size:174K  analog power
 am4942n.pdf pdf_icon

AM4942N

Analog Power AM4942N Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 75 @ VGS = 10V 4.4 converters and power management in portable and 40 battery-powered products

 9.1. Size:113K  analog power
 am4940n.pdf pdf_icon

AM4942N

Analog Power AM4940N Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 22 @ VGS = 10V 8.3 40 battery-powered products

Другие IGBT... AM4926N, AM4929P, AM4930N, AM4932N, AM4934N, AM4935P, AM4936N, AM4940N, 20N50, AM4953, AM4953P, AM4960N, AM4962NE, AM4963P, AM4964NT, AM4970N, AM4990N