IRFR3504PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR3504PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для IRFR3504PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3504PBF даташит

 ..1. Size:324K  international rectifier
 irfr3504pbf.pdf pdf_icon

IRFR3504PBF

PD - 95315B IRFR3504PbF IRFU3504PbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature D Fast Switching VDSS = 40V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.2m G Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing ID = 30A techniques to achieve extremely low on-resistan

 6.1. Size:593K  international rectifier
 irfr3504.pdf pdf_icon

IRFR3504PBF

PD - 94499A AUTOMOTIVE MOSFET IRFR3504 IRFU3504 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 40V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 9.2m G Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET ID = 30A Power MOSFET utilizes the l

 6.2. Size:228K  international rectifier
 auirfr3504.pdf pdf_icon

IRFR3504PBF

PD - 97687A AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR3504 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 7.8m l Fully Avalanche Rated max 9.2m G l Repetitive Avalanche Allowed ID (Silicon Limited) 87A up to Tjmax S ID (Package Limited) l Lead-Free, RoHS Compliant 56A l Automotiv

 6.3. Size:331K  international rectifier
 irfr3504zpbf.pdf pdf_icon

IRFR3504PBF

PD - 95521B IRFR3504ZPbF IRFU3504ZPbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP265N6F6AG, STP26NM60ND, STP270N04, IRFR3303PBF, IRFR3410PBF, IRFR3411PBF, IRFR3412PBF, IRFR3418PBF, IRF4905, IRFR3504ZPBF, IRFR3505PBF, IRFR3518PBF, IRFR3607PBF, IRFR3704, IRFR3704PBF, IRFR3704ZPBF, IRFR3706