STP4953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для STP4953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4953 даташит

 ..1. Size:485K  stansontech
 stp4953.pdf pdf_icon

STP4953

STP4953 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -5.2A DESCRIPTION STP4953 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as LCD backli

 0.1. Size:386K  semtron
 stp4953a.pdf pdf_icon

STP4953

STP4953A -30V Dual P-Channel Fast Switching MOSFETs DESCRIPTION FEATURE The STP4953A is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, RDS(ON) =46m (typ.)@VGS =-10V enhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, RDS(ON) =75m (typ.)@VGS =-4.5V produced using high cell density. advanced trench Super high density cell design for extremely low technology

 9.1. Size:431K  stansontech
 stp4925.pdf pdf_icon

STP4953

STP4925 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -7.2A DESCRIPTION STP4925 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, notebook computer power

 9.2. Size:325K  stansontech
 stp4931.pdf pdf_icon

STP4953

STP4931 STP4931 STP4931 STP4931 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -8.5A DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION DESCRIPTION STP4931 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP45N10F7, STP45N65M5, STP45NE06, STP45NE06FP, STP46NF30, STP4803, STP4925, STP4931, IRFB4227, STP4953A, STP4N80K5, STP4NA90, STP4NA90FI, STP4NB100, STP4NB50, STP4NB80, STP4NM60