IRFR5505PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFR5505PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IRFR5505PBF
IRFR5505PBF Datasheet (PDF)
irfr5505pbf irfu5505pbf.pdf

PD - 95077BIRFR5505PbFIRFU5505PbF Lead-Free Halogen-Free 1 www.irf.com 2012 International Rectifier November 12th , 2012IRFR/U5505PbF 2 www.irf.com 2012 International Rectifier November 12th , 2012IRFR/U5505PbF 3 www.irf.com 2012 International Rectifier November 12th , 2012IRFR/U5505PbF 4 www.irf.com 2012 International Rectifier November 12th , 2012
irfr5505 irfu5505.pdf

PD - 9.1610BIRFR/U5505HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD P-ChannelVDSS = -55V Surface Mount (IRFR5505) Straight Lead (IRFU5505)RDS(on) = 0.11 Advanced Process TechnologyG Fast SwitchingID = -18A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low
auirfr5505tr.pdf

PD - 96342AUTOMOTIVE GRADEAUIRFR5505AUIRFU5505FeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Planar TechnologyD Low On-ResistanceV(BR)DSS -55V P-Channel Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.0.11G 150C Operating Temperature Fast SwitchingS Fully Avalanche RatedID -18A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS CompliantD Automotive Qualified
irfr5505.pdf

PD - 9.1610BIRFR/U5505HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD P-ChannelVDSS = -55V Surface Mount (IRFR5505) Straight Lead (IRFU5505)RDS(on) = 0.11 Advanced Process TechnologyG Fast SwitchingID = -18A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low
Другие MOSFET... IRFR4510PBF , IRFR4615PBF , IRFR4620PBF , IRFR48ZPBF , IRFR5305PBF , IRFR540ZPBF , IRFR5410PBF , IRFR5505GPBF , IRFZ44 , IRFR6215PBF , IRFR9010PBF , IRFR9014PBF , IRFR9020PBF , IRFR9024NPBF , IRFR9024PBF , IRFR9110PBF , IRFR9120NPBF .
History: NCEP090N10AGU | VIS30019 | RDN120N25 | MTP4435AQ8 | WMK15N70C4 | RU30D20M3 | IRFB4137
History: NCEP090N10AGU | VIS30019 | RDN120N25 | MTP4435AQ8 | WMK15N70C4 | RU30D20M3 | IRFB4137



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130