STB6N80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB6N80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB6N80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB6N80K5 даташит

 ..1. Size:1285K  st
stb6n80k5 std6n80k5 sti6n80k5 stp6n80k5.pdfpdf_icon

STB6N80K5

STB6N80K5, STD6N80K5, STI6N80K5, STP6N80K5 N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in D PAK, DPAK, I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on)max ID PTOT 3 1 3 1 STB6N80K5 DPAK D2PAK STD6N80K5 TAB TAB 800 V 1.6 4.5 A 85 W STI6N80K5 STP6N80K5 3 2 3 2 1 1 Industry s lowest RDS(on) TO-

 9.1. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STB6N80K5

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

 9.2. Size:130K  st
stb6na60.pdfpdf_icon

STB6N80K5

STB6NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on ) D STB6NA60 600 V

 9.3. Size:692K  st
stb6nm60n std6nm60n-1 std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STB6N80K5

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

Другие IGBT... STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1, STB60NF10T4, STB60NH02LT4, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2, IRF740, STB6NK60ZT4, STB6NK90ZT4, STB6NM60N, STB70N10F4, STB70NF03LT4, STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4