Справочник MOSFET. IRFU1N60APBF

 

IRFU1N60APBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFU1N60APBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для IRFU1N60APBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU1N60APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

IRFU1N60APBF

PD - 95518ASMPS MOSFETIRFR1N60APbFIRFU1N60APbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Switch Mode Power Supply (SMPS)VDSS Rds(on) max IDl Uninterruptable Power Supplyl Power Factor Correction600V 7.0 1.4Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance

 ..2. Size:257K  international rectifier
 irfr1n60apbf irfu1n60apbf.pdf pdf_icon

IRFU1N60APBF

PD - 95518ASMPS MOSFETIRFR1N60APbFIRFU1N60APbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Switch Mode Power Supply (SMPS)VDSS Rds(on) max IDl Uninterruptable Power Supplyl Power Factor Correction600V 7.0 1.4Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance

 5.1. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

IRFU1N60APBF

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

 5.2. Size:269K  vishay
 irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

IRFU1N60APBF

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFU120NPBF , IRFU120PBF , IRFU120ZPBF , IRFU12N25D , IRFU12N25DPBF , IRFU13N20DPBF , IRFU15N20DPBF , IRFU1N60A , IRF1407 , IRFU210PBF , IRFU214B , IRFU214PBF , IRFU220NPBF , IRFU220PBF , IRFU224PBF , IRFU2307ZPBF , IRFU2405PBF .

History: PE5G5EA | HUFA76419S3S | MTP7N20 | UML2502 | FHA150N06C | ME1302AT3 | 2SK2325

 

 
Back to Top

 


 
.