IRFY9230. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFY9230
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для IRFY9230
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY9230 даташит
irfy9230.pdf
IRFY9230 MECHANICAL DATA P CHANNEL Dimensions in mm (inches) POWER MOSFET 4.83 (0.190) 5.08 (0.200) 10.41 (0.410) 10.67 (0.420) 0.89 (0.035) FOR HI REL 1.14 (0.045) APPLICATIONS 3.56 (0.140) Dia. 3.81 (0.150) VDSS 200V 1 2 3 ID(cont) 6.5A RDS(on) 0.80 0.64 (0.025) Dia. 0.89 (0.035) 2.54 (0.100) 3.05 (0.120) BSC BSC FEATURES HERMETICALLY SEALED T
irfy9240m.pdf
PD - 94199 IRFY9240,IRFY9240M POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Rds(on) Id Eyelets IRFY9240 0.51 -9.4A Glass IRFY9240M 0.51 -9.4A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very lo
irfy9240c.pdf
PD - 91295B IRFY9240C,IRFY9240CM POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Rds(on) Id Eyelets IRFY9240C 0.51 -9.4A Ceramic IRFY9240CM 0.51 -9.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieve
irfy9240cm.pdf
PD - 91295B IRFY9240C,IRFY9240CM POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Rds(on) Id Eyelets IRFY9240C 0.51 -9.4A Ceramic IRFY9240CM 0.51 -9.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieve
Другие IGBT... IRFY440CM, IRFY440-T257, IRFY540, IRFY9130CM, IRFY9130M, IRFY9140CM, IRFY9140M, IRFY9140X, IRFP250, IRFY9240CM, IRFY9240M, IRFY9310F, IRFZ10PBF, IRFZ14L, IRFZ14PBF, IRFZ14S, IRFZ14SPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115





