IRHNA7Z60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHNA7Z60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SMD-2

Аналог (замена) для IRHNA7Z60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA7Z60 даташит

 ..1. Size:121K  international rectifier
 irhna7z60.pdf pdf_icon

IRHNA7Z60

PD - 91708B RADIATION HARDENED IRHNA7Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT(SMD-2) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*A SMD-2 International Rectifier s RADHard HE

 8.1. Size:178K  international rectifier
 irhna7360se.pdf pdf_icon

IRHNA7Z60

PD-91398B RADIATION HARDENED IRHNA7360SE POWER MOSFET 400V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7360SE 100K Rads (Si) 0.20 24A SMD-2 International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology ha

 8.2. Size:119K  international rectifier
 irhna7264se.pdf pdf_icon

IRHNA7Z60

PD - 91432C RADIATION HARDENED IRHNA7264SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7264SE 100K Rads (Si) 0.11 34A SMD-2 International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology

 8.3. Size:124K  international rectifier
 irhna7064.pdf pdf_icon

IRHNA7Z60

PD - 91416B IRHNA7064 JANSR2N7431U RADIATION HARDENED 60V, N-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/664 SURFACE MOUNT(SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHNA7064 100K Rads (Si) 0.015 75*A JANSR2N7431U IRHNA3064 300K Rads (Si) 0.015 75*A JANSF2N7431U IRHNA4064 600K Rads (Si) 0.015 75*A JANSG2N7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHNA597160, IRHNA67160, IRHNA67164, IRHNA67260, IRHNA67264, IRHNA7264SE, IRHNA7360SE, IRHNA7460SE, SKD502T, IRHNB7264SE, IRHNJ57234SE, IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60