Справочник MOSFET. IRHNJ57234SE

 

IRHNJ57234SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNJ57234SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNJ57234SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  international rectifier
 irhnj57234se.pdf pdf_icon

IRHNJ57234SE

PD-93837DIRHNJ57234SERADIATION HARDENED JANSR2N7555U3POWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) REF: MIL-PRF-19500/704TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHNJ57234SE 100K Rads (Si) 0.4 10A JANSR2N7555U3SMD-0.5Features:International Rectifiers R5TM technology providesn Single Event Effect (SEE) H

 5.1. Size:119K  international rectifier
 irhnj57230.pdf pdf_icon

IRHNJ57234SE

PD - 93753RADIATION HARDENED IRHNJ57230POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNJ57230 100K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ53230 300K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ54230 600K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ58230 1000K Rads (Si) 0.25 13ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provi

 5.2. Size:123K  international rectifier
 irhnj57230se.pdf pdf_icon

IRHNJ57234SE

PD - 93836ARADIATION HARDENED IRHNJ57230SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNJ57230SE 100K Rads (Si) 0.22 12ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized f

 7.1. Size:125K  international rectifier
 irhnj57133se.pdf pdf_icon

IRHNJ57234SE

PD - 94294BRADIATION HARDENED IRHNJ57133SEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNJ57133SE 100K Rads (Si) 0.08 20ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDPF15N65YDTU | 12N65KL-TF1-T | LNG5N50 | IRLU230A | GP1M009A020XX | 12P10L-TA3-T | DK48N80

 

 
Back to Top

 


 
.