IRHNJ57234SE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHNJ57234SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.5
Аналог (замена) для IRHNJ57234SE
IRHNJ57234SE Datasheet (PDF)
irhnj57234se.pdf
PD-93837DIRHNJ57234SERADIATION HARDENED JANSR2N7555U3POWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) REF: MIL-PRF-19500/704TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHNJ57234SE 100K Rads (Si) 0.4 10A JANSR2N7555U3SMD-0.5Features:International Rectifiers R5TM technology providesn Single Event Effect (SEE) H
irhnj57230.pdf
PD - 93753RADIATION HARDENED IRHNJ57230POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNJ57230 100K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ53230 300K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ54230 600K Rads (Si) 0.20 13A IRHNJ58230 1000K Rads (Si) 0.25 13ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provi
irhnj57230se.pdf
PD - 93836ARADIATION HARDENED IRHNJ57230SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNJ57230SE 100K Rads (Si) 0.22 12ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized f
irhnj57133se.pdf
PD - 94294BRADIATION HARDENED IRHNJ57133SEPOWER MOSFET130V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNJ57133SE 100K Rads (Si) 0.08 20ASMD-0.5International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized f
irhnj57034.pdf
PD - 93752ARADIATION HARDENED IRHNJ57034POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNJ57034 100K Rads (Si) 0.030 22A* IRHNJ53034 300K Rads (Si) 0.030 22A* IRHNJ54034 600K Rads (Si) 0.030 22A* IRHNJ58034 1000K Rads (Si) 0.038 22A*SMD-0.5International Rectifiers R5TM technolo
irhnj57130.pdf
PD - 93754CRADIATION HARDENED IRHNJ57130POWER MOSFET100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNJ57130 100K Rads (Si) 0.060 22A* IRHNJ53130 300K Rads (Si) 0.060 22A* IRHNJ54130 600K Rads (Si) 0.060 22A* IRHNJ58130 1000K Rads (Si) 0.075 22A*SMD-0.5International Rectifiers R5TM tec
irhnj57z30.pdf
PD - 93751ARADIATION HARDENED IRHNJ57Z30POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNJ57Z30 100K Rads (Si) 0.020 22A* IRHNJ53Z30 300K Rads (Si) 0.020 22A* IRHNJ54Z30 600K Rads (Si) 0.020 22A* IRHNJ58Z30 1000K Rads (Si) 0.025 22A*SMD-0.5International Rectifiers R5TM technolo
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918