IRF100B202 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF100B202

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 221 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRF100B202

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF100B202 даташит

 ..1. Size:529K  international rectifier
 irf100b202.pdf pdf_icon

IRF100B202

StrongIRFET IRF100B202 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 100V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 7.2m Synchronous rectifier applications G max 8.6m Resonant mode power supplies S OR-ing and redundan

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 irf100b202.pdf pdf_icon

IRF100B202

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF100B202 IIRF100B202 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 8.6m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 5.1. Size:617K  international rectifier
 irf100b201 irf100s201.pdf pdf_icon

IRF100B202

StrongIRFET IRF100B201 IRF100S201 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 100V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 3.5m Synchronous rectifier applications G max 4.2m Resonant mode power supplies S OR-ing

 5.2. Size:245K  inchange semiconductor
 irf100b201.pdf pdf_icon

IRF100B202

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF100B201 IIRF100B201 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.2m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, TK10A60D, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF, IRF1010EZLPBF, IRF1010EZPBF, IRF1010EZSPBF