IRF1404SPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF1404SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 162 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 160 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 1680 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF1404SPBF
IRF1404SPBF Datasheet (PDF)
irf1404lpbf irf1404spbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD -95104IRF1404SPbFIRF1404LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 40Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.004Gl Lead-FreeID = 162ADescriptionSSeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtec
irf1404spbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD -95104IRF1404SPbFIRF1404LPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 40Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.004Gl Lead-FreeID = 162ADescriptionSSeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtec
irf1404s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD -93853BIRF1404SIRF1404LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.004 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 162A DescriptionSSeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve ex
auirf1404s auirf1404l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUIRF1404S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS 40V Dynamic dv/dt Rating RDS(on) typ. 3.5m 175C Operating Temperature max. 4.0m Fast Switching ID (Silicon Limited) 162A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-F
irf1404s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1404SFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .