Справочник MOSFET. MCH5837

 

MCH5837 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCH5837
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: SOT-353 MCPH5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH5837 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  sanyo
mch5837.pdfpdf_icon

MCH5837

Ordering number : ENA0781A MCH5837SANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : N-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5837General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode (SS10015M)contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] Low ON-resistance.

 8.1. Size:249K  onsemi
mch5839.pdfpdf_icon

MCH5837

Ordering number : ENA2165MCH5839P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 20V, 1.5A, 266m , Single MCPH5 with Schottky DiodeFeatures Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting Halogen free compliance [MOSFET] Low On-resistance RDS(on)1=205m (typ.)

 9.1. Size:48K  sanyo
mch5802.pdfpdf_icon

MCH5837

Ordering number : ENN6961MCH5802MOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5802DC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm(MCH3308) and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195contained in one package facilitating high-density[MCH5802]mounting.[MOSFET]0.3 0.15 Low ON-res

 9.2. Size:40K  sanyo
mch5805.pdfpdf_icon

MCH5837

Ordering number : ENN7125MCH5805MOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5805DC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with a P-channel sillicon MOSFET unit : mm(MCH3314) and a Schottky barrier diode (SB01-05) 2195contained in one package facilitating high-density[MCH5805]mounting.0.3 0.15[MOSFET]4 5 Low O

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.