MGSF1N02ELT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MGSF1N02ELT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MGSF1N02ELT1
MGSF1N02ELT1 Datasheet (PDF)
mgsf1n02elt1.pdf

MGSF1N02ELT1Preferred DevicePower MOSFET750 mAmps, 20 VoltsNChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealhttp://onsemi.comfor use in space sensitive power management circuitry. Typicalapplications are dcdc converters and power management in portable750 mAMPSand batterypowe
mgsf1n02elt1rev0x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1N02ELT1/DMGSF1N02ELT1Low rDS(on) Small-Signal MOSFETsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorNCHANNELLOGIC LEVELPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyENHANCEMENTMODEconserving traits.TMOS MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize Mo
mgsf1n02lt1rev2.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1N02LT1/DMGSF1N02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single N-ChannelNCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1n02l mvgsf1n02l.pdf

MGSF1N02L, MVGSF1N02LPower MOSFET750 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurewww.onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. Typical750 mAMPS, 20 VOLTSapplications are dc-dc converters and power management in portableRDS(on) = 90 mWand batte
Другие MOSFET... MCU02N80 , MCU04N60 , MCU04N65 , MCU05N60 , ME3587-G , MFE930 , MFE960 , MFE990 , IRF740 , SP8K24FRA , SP8K31FRA , SP8K33FRA , SP8K80 , SP8M10FRA , SP8M21FRA , SP8M51 , SP8M70 .
History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D
History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent