MGSF1N02ELT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MGSF1N02ELT1
Маркировка: NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
MGSF1N02ELT1 Datasheet (PDF)
mgsf1n02elt1.pdf

MGSF1N02ELT1Preferred DevicePower MOSFET750 mAmps, 20 VoltsNChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealhttp://onsemi.comfor use in space sensitive power management circuitry. Typicalapplications are dcdc converters and power management in portable750 mAMPSand batterypowe
mgsf1n02elt1rev0x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1N02ELT1/DMGSF1N02ELT1Low rDS(on) Small-Signal MOSFETsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorNCHANNELLOGIC LEVELPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyENHANCEMENTMODEconserving traits.TMOS MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize Mo
mgsf1n02lt1rev2.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MGSF1N02LT1/DMGSF1N02LT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single N-ChannelNCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1n02l mvgsf1n02l.pdf

MGSF1N02L, MVGSF1N02LPower MOSFET750 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurewww.onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. Typical750 mAMPS, 20 VOLTSapplications are dc-dc converters and power management in portableRDS(on) = 90 mWand batte
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: JCS5N50VC | APT4F120K | P0660AS | AP4533GEM-HF | TK3R1A04PL | IPS118N10NG | VBE1695
History: JCS5N50VC | APT4F120K | P0660AS | AP4533GEM-HF | TK3R1A04PL | IPS118N10NG | VBE1695



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent