MGSF1N02ELT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MGSF1N02ELT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MGSF1N02ELT1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MGSF1N02ELT1 даташит
mgsf1n02elt1.pdf
MGSF1N02ELT1 Preferred Device Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N Channel SOT 23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal http //onsemi.com for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc dc converters and power management in portable 750 mAMPS and battery powe
mgsf1n02elt1rev0x.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1N02ELT1/D MGSF1N02ELT1 Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistor N CHANNEL LOGIC LEVEL Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy ENHANCEMENT MODE conserving traits. TMOS MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize Mo
mgsf1n02lt1rev2.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1N02LT1/D MGSF1N02LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single N-Channel N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola
mgsf1n02l mvgsf1n02l.pdf
MGSF1N02L, MVGSF1N02L Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure www.onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical 750 mAMPS, 20 VOLTS applications are dc-dc converters and power management in portable RDS(on) = 90 mW and batte
Другие IGBT... MCU02N80, MCU04N60, MCU04N65, MCU05N60, ME3587-G, MFE930, MFE960, MFE990, IRF740, SP8K24FRA, SP8K31FRA, SP8K33FRA, SP8K80, SP8M10FRA, SP8M21FRA, SP8M51, SP8M70
History: SM4365NAKP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent






