Справочник MOSFET. IXFX180N07

 

IXFX180N07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX180N07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX180N07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  ixys
 ixfk180n07 ixfx180n07.pdf pdf_icon

IXFX180N07

IXFK 180N07 VDSS = 70 VHiPerFETTMIXFX 180N07 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 6 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 5.1. Size:46K  ixys
 ixfk180n085 ixfx180n085.pdf pdf_icon

IXFX180N07

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFK 180N085 VDSS = 85 VIXFX 180N085 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 7 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 1

 6.1. Size:138K  ixys
 ixfk180n25t ixfx180n25t.pdf pdf_icon

IXFX180N07

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFK180N25TID25 = 180APower MOSFETIXFX180N25T RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.2. Size:178K  ixys
 ixfk180n15p ixfx180n15p.pdf pdf_icon

IXFX180N07

VDSS = 150 VIXFK 180N15PPolarTM HiPerFETID25 = 180 AIXFX 180N15PPower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDS Continuous 20 VTO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT80N20Q , IXFX100N25 , IXFX120N20 , IXFX13N100 , IXFX14N100 , IXFX150N15 , IXFX15N100 , IXFX16N90 , NCEP15T14 , IXFX180N085 , IXFX180N10 , IXFX24N100 , IXFX26N90 , IXFX28N60 , IXFX32N50Q , IXFX34N80 , IXFX44N60 .

History: MC10N007L | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.