SPC1016 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPC1016
Маркировка: C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
SPC1016 Datasheet (PDF)
spc1016.pdf
SPC1016 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC1016 is the Dual P-Channel enhancement mode Portable Equipment power field effect transistors are produced using high cell Battery Powered System density , DMOS trench technology. This high density DC/DC Converter process is especially tailored to minimize on-state
spc1018.pdf
SPC1810 N & P Pair Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Power Management in Note book The SPC1810 is the N- and P-Channel enhancement Portable Equipment mode power field effect transistors are produced using Battery Powered System high cell density , DMOS trench technology. This high DC/DC Converter density process is especially tailored to minimize on-sta
spc10n65g.pdf
SPC10N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=10A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.1 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 45 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 7 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 15 gd RoHS compliant Configuration single App
spc10n80g.pdf
SPC10N80G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 850 DS J ID=10A(Vgs=10V) R max. at 25oC () V =10V 1.2DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 70 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 14 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 21 gd RoHS compliant Configuration single A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100