IXFX180N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFX180N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFX180N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX180N10 даташит

 ..1. Size:109K  ixys
 ixfk180n10 ixfx180n10.pdf pdf_icon

IXFX180N10

HiPerFETTM IXFK 180N10 VDSS = 100 V IXFX 180N10 ID25 = 180 A Power MOSFETs RDS(on) = 8 mW Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capability) 180 A

 5.1. Size:178K  ixys
 ixfk180n15p ixfx180n15p.pdf pdf_icon

IXFX180N10

VDSS = 150 V IXFK 180N15P PolarTM HiPerFET ID25 = 180 A IXFX 180N15P Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V VDS Continuous 20 V TO

 6.1. Size:138K  ixys
 ixfk180n25t ixfx180n25t.pdf pdf_icon

IXFX180N10

Advance Technical Information GigaMOSTM VDSS = 250V IXFK180N25T ID25 = 180A Power MOSFET IXFX180N25T RDS(on) 12.9m trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 6.2. Size:46K  ixys
 ixfk180n085 ixfx180n085.pdf pdf_icon

IXFX180N10

Advanced Technical Information HiPerFETTM IXFK 180N085 VDSS = 85 V IXFX 180N085 ID25 = 180 A Power MOSFETs RDS(on) = 7 mW Single MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C85 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 85 V D (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capability) 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX120N20, IXFX13N100, IXFX14N100, IXFX150N15, IXFX15N100, IXFX16N90, IXFX180N07, IXFX180N085, 10N65, IXFX24N100, IXFX26N90, IXFX28N60, IXFX32N50Q, IXFX34N80, IXFX44N60, IXFX48N50Q, IXFX50N50