SPN1012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN1012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

Аналог (замена) для SPN1012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN1012 даташит

 ..1. Size:177K  syncpower
 spn1012.pdf pdf_icon

SPN1012

SPN1012 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Drivers Relays/Solenoids/Lamps/Hammers The SPN1012 is the N-Channel enhancement mode Power Supply Converter Circuits power field effect transistors are produced using high cell Load/Power Switching Cell Phones, Pagers density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to mi

 9.1. Size:291K  syncpower
 spn10t10.pdf pdf_icon

SPN1012

SPN10T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN10T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN10T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith

Другие IGBT... SPD50N03S2L-06T, SPI80N06S-80, SPM1007, SPM1008, SPMT16040F, SPMT9200F, SPN05T10, SPN09T10, 13N50, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, SPN65T10, SPN80T10, SPP08P06P