SPN30T10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN30T10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SPN30T10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN30T10 даташит

 ..1. Size:174K  syncpower
 spn30t10.pdf pdf_icon

SPN30T10

SPN30T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power System The SPN30T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. SPN30T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC conver

 9.1. Size:446K  syncpower
 spn3006.pdf pdf_icon

SPN30T10

SPN3006 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Synchronous Buck Converter The SPN3006 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Power System power field effect transistors are produced using high cell Load Switch density, DMOS trench technology. The SPN3006 has been designed specifically to improve the overall efficiency of

Другие IGBT... SPMT16040F, SPMT9200F, SPN05T10, SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, IRF1010E, SPN50T10, SPN65T10, SPN80T10, SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH, SPP15P10PL