Справочник MOSFET. SQ4942EY

 

SQ4942EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ4942EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 199 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQ4942EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ4942EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sq4942ey.pdf pdf_icon

SQ4942EY

SQ4942EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 100 % Rg and UIS TestedID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Dual Compliant to R

 9.1. Size:251K  vishay
 sq4949ey.pdf pdf_icon

SQ4942EY

SQ4949EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS TestedID (A) per leg - 7.5 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Dual

 9.2. Size:255K  vishay
 sq4946aey.pdf pdf_icon

SQ4942EY

SQ4946AEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 Material categorization:For definitions of compliance please seeID (A) per leg 7www.vishay.com/d

 9.3. Size:251K  vishay
 sq4940ey.pdf pdf_icon

SQ4942EY

SQ4940EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.035 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 100 % Rg and UIS TestedID (A) 7 AEC-Q101 QualifiedcConfiguration Dual Compliant to R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ4532AEY , SQ4840EY , SQ4850EY , SQ4917EY , SQ4920EY , SQ4936EY , SQ4937EY , SQ4940EY , 8205A , SQ4946AEY , SQ4949EY , SQ4953EY , SQ4961EY , SQ7002K , SQ7414AEN , SQ7414AENW , SQ7414EN .

History: CJP02N60 | JCS6N90FA | AP4959GM | VBTA3615M | IPB039N10N3GE8187 | STP3NK80Z | TPC80R750C

 

 
Back to Top

 


 
.