SQJ401EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJ401EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3808 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ401EP
SQJ401EP Datasheet (PDF)
sqj401ep.pdf

SQJ401EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 12DefinitionRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0060 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.0080 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 32 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compl
sqj403eep.pdf

SQJ403EEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30a Material categorization:Configuration SingleFor d
sqj402ep.pdf

SQJ402EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0140For definitions of compliance please seeID (A) 32www.vishay.com/doc?99912
sqj403ep.pdf

SQJ403EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization:ID (A) -30 afor definitions of compliance please see Configuration S
Другие MOSFET... SQD50P03-07 , SQD50P04-09L , SQD50P04-13L , SQD50P06-15L , SQD50P08-25L , SQD50P08-28 , SQD90P04-9M4L , SQD97N06-6M3L , AO4468 , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , SQJ410EP , SQJ412EP , SQJ422EP , SQJ431EP , SQJ443EP .
History: IRFS644B | STB38N65M5 | HM530 | 2N5433 | FQT1N60CTFWS | UTD3055
History: IRFS644B | STB38N65M5 | HM530 | 2N5433 | FQT1N60CTFWS | UTD3055



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g