SQJ410EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQJ410EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 806 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
Аналог (замена) для SQJ410EP
SQJ410EP Datasheet (PDF)
sqj410ep.pdf
SQJ410EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0039 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0042 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.
sqj414ep.pdf
SQJ414EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization:for definitions of compliance please see1Swww.vishay.com/doc?999122S3S4D1 GTop View Bottom ViewPRODUCT SUMMARYVDS (V) 30GRDS
sqj412ep.pdf
SQJ412EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0041 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0052 Material categorization:ID (A) 32For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.
sqj418ep.pdf
SQJ418EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 100 % Rg and UIS testedID (A) 48 Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seePackage PowerPAK SO-8Lwww.vishay.com/
Другие MOSFET... SQD50P08-25L , SQD50P08-28 , SQD90P04-9M4L , SQD97N06-6M3L , SQJ401EP , SQJ402EP , SQJ403EEP , SQJ403EP , AO4468 , SQJ412EP , SQJ422EP , SQJ431EP , SQJ443EP , SQJ456EP , SQJ460AEP , SQJ460EP , SQJ461EP .
History: UTT25P10G-TF3-T | TPW65R044MFD
History: UTT25P10G-TF3-T | TPW65R044MFD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437






