SQJ951EP - аналоги и даташиты транзистора

 

SQJ951EP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQJ951EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ951EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ951EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sqj951ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ951EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.017 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 AEC-Q101 QualifieddID (A) - 30 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Complia

 9.1. Size:225K  vishay
 sqj958ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ958EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0349 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0385 Material categorization: ID (A) per leg 20For definitions of compliance please see Configuration

 9.2. Size:216K  vishay
 sqj952ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ952EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.024 Material categorization:ID (A) per leg 23for definitions of compliance please see Configuratio

 9.3. Size:224K  vishay
 sqj956ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ956EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0267 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0290 Material categorization: ID (A) per leg 23For definitions of compliance please see Configuration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQJ884EP , SQJ886EP , SQJ910AEP , SQJ912AEP , SQJ912EP , SQJ940EP , SQJ941EP , SQJ942EP , AON7408 , SQJ952EP , SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP .

History: 2N5020 | IPI80N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.