SQJ951EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ951EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ951EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ951EP даташит

 ..1. Size:173K  vishay
 sqj951ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ951EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.017 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.036 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) - 30 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Complia

 9.1. Size:225K  vishay
 sqj958ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ958EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0349 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0385 Material categorization ID (A) per leg 20 For definitions of compliance please see Configuration

 9.2. Size:216K  vishay
 sqj952ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ952EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.020 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.024 Material categorization ID (A) per leg 23 for definitions of compliance please see Configuratio

 9.3. Size:224K  vishay
 sqj956ep.pdf pdf_icon

SQJ951EP

SQJ956EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0267 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0290 Material categorization ID (A) per leg 23 For definitions of compliance please see Configuration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ884EP, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP, SQJ940EP, SQJ941EP, SQJ942EP, AON7408, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP, SQJ970EP, SQJ980AEP