IXTH12N45MB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTH12N45MB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH12N45MB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH12N45MB даташит

 ..1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH12N45MB

 5.1. Size:65K  ixys
 ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf pdf_icon

IXTH12N45MB

 7.1. Size:175K  ixys
 ixtt12n150 ixth12n150.pdf pdf_icon

IXTH12N45MB

High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150 ID25 = 12A Power MOSFET IXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268 (IXTT) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V VGSS Continuous 30 V TO-247 (IXTH) VG

 7.2. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTH12N45MB

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 10N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA2N80, IXTH10N100, IXTH10N90, IXTH10P50, IXTH11N80, IXTH11P50, IXTH12N100, IXTH12N45MA, IRFZ46N, IXTH12N50A, IXTH12N50MA, IXTH12N50MB, IXTH12N90, IXTH13N110, IXTH13N80, IXTH14N100, IXTH14N80