SRM10N60TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRM10N60TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SRM10N60TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM10N60TF даташит

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm10n60.pdf pdf_icon

SRM10N60TF

Datasheet 10A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM10N60 General Description Symbol The Sanrise SRM10N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM10N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

 7.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm10n65.pdf pdf_icon

SRM10N60TF

Datasheet 10A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM10N65 General Description Symbol The Sanrise SRM10N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM10N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

Другие IGBT... SRC4N65DTR, SRC4N65TC, SRC4N65TF, SRC7N65D1, SRC7N65DTR, SRC7N65TC, SRC7N65TF, SRK7002LT1G, P60NF06, SRM10N60TC, SRM10N65TF, SRM10N65TC, SRM12N65TF, SRM12N65TC, SRM20N65TF, SRM20N65TC, SRM2N60