SRM10N60TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRM10N60TF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.29 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для SRM10N60TF
SRM10N60TF Datasheet (PDF)
srm10n60.pdf
Datasheet 10A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM10N60General Description Symbol The Sanrise SRM10N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM10N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi
srm10n65.pdf
Datasheet 10A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM10N65General Description Symbol The Sanrise SRM10N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM10N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918