Справочник MOSFET. SUD19N20-90

 

SUD19N20-90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD19N20-90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD19N20-90

 

 

SUD19N20-90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  vishay
 sud19n20-90.pdf

SUD19N20-90 SUD19N20-90

SUD19N20-90Vishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.090 at VGS = 10 V 19 PWM Optimized2000.105 at VGS = 6 V 17.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252 DDrain Co

 9.1. Size:80K  vishay
 sud19p06-60l.pdf

SUD19N20-90 SUD19N20-90

New ProductSUD19P06-60LVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD19P06-60L-E3 (L

 9.2. Size:114K  vishay
 sud19p06.pdf

SUD19N20-90 SUD19N20-90

New ProductSUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.060 at VGS = - 10 V - 19RoHS- 60 26COMPLIANT 0.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8APPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge Converter DC/DC Converter for LCD DisplayTO-252SGD

 9.3. Size:166K  vishay
 sud19p06-60.pdf

SUD19N20-90 SUD19N20-90

SUD19P06-60Vishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.060 at VGS = - 10 V - 19 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.077 at VGS = - 4.5 V - 16.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for F

 9.4. Size:884K  cn vbsemi
 sud19p06-60.pdf

SUD19N20-90 SUD19N20-90

SUD19P06-60www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 60 260.062 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS High Side Switch for Full Bridge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top