Справочник MOSFET. SUD35N05-26L

 

SUD35N05-26L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUD35N05-26L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SUD35N05-26L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUD35N05-26L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  vishay
 sud35n05-26l.pdf pdf_icon

SUD35N05-26L

SUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.0200 at VGS = 10 V Low Input Capacitance35550.0260 at VGS = 4.5 V Material categorization: For definitions of30compliance please see www.vishay.com/doc?99912TO-252D

 6.1. Size:72K  vishay
 sud35n05.pdf pdf_icon

SUD35N05-26L

New ProductSUD35N05-26LVishay SiliconixN-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Rated Maximum Junction Temperature0.020 at VGS = 10 V 35RoHS*55 Low Input Capacitance0.026 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrderi

 8.1. Size:168K  vishay
 sud35n10-26p.pdf pdf_icon

SUD35N05-26L

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb

 8.2. Size:168K  vishay
 sud35n10.pdf pdf_icon

SUD35N05-26L

New ProductSUD35N10-26PVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % UIS TestedRoHS 0.026 at VGS = 10 V 100 35 31 nCCOMPLIANT APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-252DDrain Connected to TabGG D STop ViewSOrdering Information: SUD35N10-26P-E3 (Lead (Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SKD502T , SUD35N10-26P , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P , SUD40N04-10A , SUD40N08-16 , SUD40N10-25 , SUD42N03-3M9P , SUD45P03-09 .

History: 2SK1032 | CEB75N06 | VS3610AE | HAT2099H | S-LP1480WT1G | VS6640AC | HM2305B

 

 
Back to Top

 


 
.